Trasduttori R-HEMT a base di nitruro di gallio
Catania, StMicroelectronics
cristina.miccoli@st.com
La domanda di biosensori per applicazioni mediche è alta ed è destinata a crescere anche per applicazioni nel monitoraggio ambientale, nell’alimentazione e nell’industria farmaceutica. I sensori basati su transistor risultano particolarmente promettenti, purché abbiano una elevata precisione, dimensioni compatte e una capacità di risposta rapida.
Sebbene il silicio sia il materiale comunemente utilizzato per la produzione di sensori e dispositivi elettronici, le temperature di operazione dei dispositivi in silicio si fermano intorno ai 200°C. Si presenta quindi la necessità di una piattaforma di materiali che permetta di sviluppare dispositivi capaci di operare a temperature e in condizioni estreme, come quelle connesse al monitoraggio delle turbine a gas o l’esplorazione di risorse gassose e petrolifere. A questo scopo sono stati messi a punto dei nuovi materiali per applicazioni nei sensori. In particolare, il nitruro di gallio (GaN) si è rivelato prezioso per la fabbricazione di componenti per sensori e piattaforme multisensoriali.
Il gruppo di ricerca di STMicroelectronics sta lavorando alla produzione e caratterizzazione di vari dispositivi a base di GaN per applicazioni differenti. L’idea principale consiste nell’integrare le tecnologie esistenti ai sensori a base di GaN per superare i limiti dei MEMS in silicio.
