STMicroelectronics ha rilasciato due moduli STPOWER dotati di MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200 V che garantiscono più potenza e semplicità nella progettazione
Il primo dei nuovi moduli, l’A2F12M12W2-F1, https://www.st.com/en/power-modules-and-ipm/a2f12m12w2-f1.html?icmp=tt28351_gl_pron_sep2022 è un modulo a quattro pacchi che fornisce una soluzione a ponte intero comoda e compatta per circuiti come i convertitori CC/CC.
Un altro modulo, l’A2U12M12W2-F2, https://www.st.com/en/power-modules-and-ipm/a2u12m12w2-f2.html?icmp=tt28351_gl_pron_sep2022 utilizza una topologia di tipo T a tre livelli per combinare un’elevata efficienza di conduzione e commutazione con una qualità costante della tensione di uscita.
I MOSFET in questi moduli sfruttano la tecnologia SiC di seconda generazione di ST, che ha un’eccezionale cifra di merito RDS(on) x die-area per garantire un’elevata capacità di gestione della corrente con perdite minime. Con 13 mΩ tipici RDS(on) per die, sia le topologie a ponte intero che di tipo T affrontano applicazioni ad alta potenza e garantiscono un’eccellente efficienza energetica con una gestione termica semplificata grazie alla bassa dissipazione.
Il pacchetto ACEPACK 2 ha dimensioni compatte e garantisce un’elevata densità di potenza, con un efficiente substrato di allumina e un attacco per die in rame a legame diretto (DBC).
Le connessioni esterne sono perni a pressione che semplificano il montaggio in apparecchiature per ambienti potenzialmente difficili come veicoli elettrici (EV) e conversione di potenza per stazioni di ricarica, accumulo di energia ed energia solare. Il pacchetto fornisce un isolamento di 2,5 kVrms e contiene un sensore di temperatura NTC integrato che può essere utilizzato per la protezione e la diagnostica del sistema.
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