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Cresce la famiglia MasterGan
Il nuovo dispositivo è ottimizzato per topologie asimmetriche.
di Fonte ST 14-01-21
MasterGaN2 è il primo della nuova famiglia a contenere due transistor asimmetrici al nitruro di gallio (GaN). La famiglia MasterGaN power system-in-package (SiP) combina i due Transistor GaN High-Electron-Mobility (HEMT) e i gate driver ad alta tensione associati nello stesso pacchetto con tutti i meccanismi di protezione necessari integrati.

Questa scelta permette di collegare facilmente dispositivi esterni inclusi sensori Hall e un controller come un DSP, FPGA o microcontrollore direttamente al dispositivo MasterGaN. Gli ingressi sono compatibili con segnali logici da 3,3 V a 15 V, il che aiuta a semplificare la progettazione del circuito e la distinta base, consente un ingombro ridotto e semplifica l'assemblaggio. Questa integrazione aiuta ad aumentare la densità di potenza di adattatori e caricatori rapidi.

La tecnologia GaN sta guidando l'evoluzione verso veloci adattatori USB-PD e caricatori per smartphone. I dispositivi MasterGaN della ST consentono a questi di diventare fino all'80% più piccoli e fino al 70% più leggeri, mentre si caricano tre volte più velocemente rispetto alle normali soluzioni a base di silicio.

La protezione integrata comprende un blocco per sottotensione (UVLO) low-side e high-side, interblocchi gate-driver, un pin di spegnimento dedicato e protezione da sovratemperatura. Il package GQFN da 9 mm x 9 mm x 1 mm è ottimizzato per applicazioni ad alta tensione, con una distanza di dispersione di oltre 2 mm tra i pad ad alta e bassa tensione.

(lo)