Mantenere la velocità di crescita dei microprocessori predetta dalla Legge di Moore
Dei semiconduttori alternativi al silicio potrebbero fornire la chiave per diminuire le dimensioni dei microprocessori e per migliorarne la performance. Tra le difficoltà da superare, i costi e l'aggiornamento di un'intera industria costruita attorno al silicio.
di 15-03-07
Dei ricercatori del MIT stanno lavorando verso un'elettronica del futuro senza silicio. Il team ha già dimostrato che un transistor fatto di un semiconduttore di arseniuro di indio/gallio può funzionare più di due volte più velocemente di un transistor di silicio delle stesse dimensioni. Queste scoperte potrebbero permettere di mantenere la velocità di crescita stabilita dalla legge di Moore, anche dopo aver raggiunto i limiti del silicio, dice Jesus del Alamo, professore di ingegneria elettrica e coordinatore del progetto. Postulata da Gordon Moore della Intel, la legge dice che il numero di transistor presenti su un chip raddoppia ogni due anni. Alcuni ritengono che è possibile migliorare ancora le prestazioni del silicio, altri che convenga puntare a materiali diversi, dice del Alamo. Un problema del silicio è che non è il migliore semiconduttore per fare transistor; gli elettroni si muovono più velocemente in altri semiconduttori compositi. Inoltre, un altro problema riguarda la cosiddetta gate, cioè l'interruttore che controlla il flusso degli elettroni. Sui transistor di silicio, le gate sono fatte di diossido di silicio, sempre più sottile al progredire delle generazioni di microprocessori. Assottigliandosi, il diossido di silicio diviene sempre meno isolante e gli elettroni lo attraversano, causando perdita di energia e sviluppo di calore, di fatto abbassando la qualità del transistor. Usando semiconduttori compositi, allo scendere delle dimensioni, c'è meno perdita di performance, in quanto sono più efficienti già in partenza.